Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава

Область 3. Uси > Uси.мах. Это область пробоя транзистора. Повышение напряжения на стоке выше определенной величины приводит к электронному пробою р-n- перехода у стокового конца канала, потому что в этой части прибора к р- n-переходу приложено наибольшее оборотное напряжение.

При напряжении Uзи=0 напряжение насыщения равно напряжению отсечки. Можно Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава показать, что при положительных напряжениях на затворе напряжение насыщения определяется по формуле

1.1.

В выходных ВАХ кривая, соединяющая точки, надлежащие значениям Uси нас при различных значениях Uзи, является параболой, выходящей из начала координат (пунктирная линия на рис. 5.3).

Если управляющий р -n переход смеcтить в прямом направлении, ток стока возрастет. При всем Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава этом резко увеличивается входная проводимость прибора. Таковой режим на практике не употребляют. Это не рабочий режим работы.

Передаточная ВАХ (стоко-затворная черта) (рис. 1.3) может быть просто получена из семейства выходных черт, если при фиксированном напряжении Uси отмечать величину напряжения Uзи и надлежащие ему значения Ic. Изменение напряжения Uси в Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава границах области насыщения не достаточно оказывает влияние на поведение стокозатворной свойства.

Вопрос 37

4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

МДП- либо МОП-транзистор представляет собой прибор, в каком железный затвор изолирован слоем диэлектрика от канала, образованного в приповерхностном слое полупроводника. Принцип деяния МДП транзистора основан на явлении управления пространственным зарядом полупроводника через слой Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава диэлектрика.

Различают МДП-транзисторы с индуцированным и со интегрированным каналом. В МДП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал меж истоком и стоком индуцируется (наводится) управляющим напряжением затвора. В этих транзисторах при разности потенциалов меж истоком и затвором, равной нулю, электропроводность меж стоком и истоком фактически отсутствует.

4.3.1. МДП – транзистор с Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава индуцированным каналом. В МДП – транзисторах затвор и канал изолированы пленкой диэлектрика (рис. 1.4). Каналом является узкий слой на поверхности пластинки (подложки) с обратным типом проводимости. Затвор представляет собой узкую пленку алюминия, нанесенную на поверхность окисла кремния. Исток и сток выполнены в виде сильнолегированных n+ – областей (концентрация дырок 1018 -1020 см-3) в Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава пластинке кремния n- типа.

Если Uзи=0 напряжение на затворе отсутствует, то сопротивление меж истоком и стоком, определяемое 2-мя включенными встречно p-n переходами в местах контакта p-подложки и n+-областей, очень велико. Появление канала основано на так именуемом эффекте поля, т.е. изменении концентрации носителей в приповерхностном слое полупроводник Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава под действием электронного поля.

При подаче на затвор положительного Uзи>0, по отношению к истоку напряжения в подложке полупроводника появляется электронное поле, которое вытягивает из р- подложки электроны, увеличивая их концентрацию в узком приповерхностном слое и изменяет тип его проводимости на обратный. Этот узкий слой полупроводника с инверсной проводимостью Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава (n – типа) именуется индуцированным либо наведенным слоем. Он образует проводящий канал, соединяющий n+ - области истока и стока. При увеличении отрицательного напряжения затвора толщина n - слоя и его проводимость растут.

рис. 1.5. Рис. 1.6

Таким макаром, можно управлять током стока транзистора. Напряжение затвора, при котором в приборе формируется канал, именуется пороговым напряжением Uзи пор. Если Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава при |Uзи|>|Uзи пор| подать положительное напряжение на сток, то в канале появится продольное электронное поле и возникнет дрейфовое движение электронов от истока к стоку. При изменении напряжения Uси, будет изменяться дрейфовая скорость движения дырок в канале, а как следует, и ток Ic. Величина порогового напряжения Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава у транзисторов с индуцированным каналом лежит в границах от 1 до 6 В..

Величина тока в цепи затвора транзистора очень мала, потому что сопротивление изоляции меж затвором и каналом добивается 1015 Ом. Выходные свойства МДП транзистора с индуцированным каналом (рис. 1.5) имеют таковой же вид, как и свойства полевого транзистора с p-n -переходом Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава, а его входная ВАХ на рис. 1.6.

Механизм работы, характеристики и ВАХ МДП- транзистора с p - каналом приблизительно такие же как и транзистора с n –каналом. Отличие заключается в том, что транзисторы с n - каналом оказываются более быстродействующими, потому что подвижность электронов, переносящих ток, приблизительно втрое выше, чем подвижность дырок. Не считая Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава того, эти транзисторы имеют различные пороговые напряжения.


Вопрос 38

4.3.2. МДП- транзистор со интегрированным каналом. В таких МДП транзисторах канал на шаге производства появляется узким слоем полупроводника, нанесенного на подложку и имеющего обратный по отношению к ней тип проводимости. Эти транзисторы отличаются от транзисторов с индуцированным каналом тем, что могут Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава работать как при положительном, так и при отрицательном напряжении на затворе. Конструкция МДП транзистора со интегрированным n-каналом приведена на рис.

Если напряжение на затворе относительно подложки, которая обычно соединена с истоком, равно нулю Uзи=0, то при подаче на сток положительного напряжения в цепи сток исток будет протекать ток Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава стока Iс определяемый проводимостью канала, при этом ВАХ будет подобна выходной вах полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Если на затвор, подать отрицательное напряжение Uзи<0, то электронное поле, создаваемое этим напряжением, удаляет электроны канала в глубь подложки, увеличивая его сопротивление, ток стока при всем этом миниатюризируется. Таковой Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава Рис.1.8. Рис.1.9.

режим именуется режимом обеднения.

Если на затвор, подать положительное напряжение Uзи>0, то электронное поле, создаваемое этим напряжением, втягивает электроны из подложки в канал, обогащая его носителями, и понижая его сопротивление, ток стока при всем этом возрастает. Таковой режим именуется режимом обогащения.

Выходные свойства Ic=f(Uси) при Uзи=const Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава и свойства прямой передачи Ic=f(Uзи) при Uси=const для МДП – транзистора со интегрированным каналом показаны на рис. 1.8. и 1.9. соответственно.

Полевые транзисторы с индуцированным каналом получили более обширное распространение, чем транзисторы со интегрированным каналом. Сначала это связано с тем, что управляющее напряжение и напряжение питания одной Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава полярности (1-го знака).

Вопрос 39

Подобно биполярным транзисторам, полевые транзисторы употребляют в 3-х главных схемах включения: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). Усилительный каскад по схеме ОИ аналогичен схеме ОЭ. Он дает огромное усиление тока и мощности и инвертирует фазу входного напряжения. Коэффициент усиления каскада по напряжению приближенно Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава равен Ku= SRH.

Схема ОС подобна эмиттерному повторителю и именуется истоковым повторителем. Коэффициент усиления каскада по напряжению близок к единице. Усилитель по схеме ОС имеет сравнимо маленькое выходное сопротивление и огромное входное сопротивление. Не считая того, тут существенно уменьшена входная емкость, что содействует повышению входного сопротивления на больших частотах Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава.

Схема ОЗ подобна схеме ОБ. Схема не увеличивает тока, потому коэффициент усиления по мощности во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Эта схема имеет маленькое входное сопротивление, потому что входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не инвертируется.

Вопрос 40

1.5. Формальная схема замещения полевого транзистора и ее Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава дифференциальные характеристики

Полевой транзистор, как и биполярный, можно представить в виде активного четырехполюсника и при работе с сигналами малых амплитуд охарактеризовывать формальной схемой замещения и ее дифференциальными параметрами. На практике в качестве дифференциальных характеристик употребляют у-параметры, в общем случае это всеохватывающие функции частоты, а а именно на низкой частоте Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава, это вещественные величины. К ним относятся:

1) крутизна стокозатворной ВАХ полевого транзистора

; 1.7.

2) входная проводимость полевого транзистора

,

на низких частотах близка к нулю;

3) выходная проводимость

1.8.

Нередко при расчетах схем на полевых транзисторах употребляют выходное сопротивление Ri = 1/Y22, которое для области насыщения у маломощных транзисторов равно 10 - 100 кОм. Не считая того, полевой транзистор можно Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава охарактеризовывать статическим коэффициентом усиления

1.9.

Тут символ минус значит, что для сохранения постоянной величины тока стока при определении знаки приращений напряжений Ucи и Uзи должны быть различными.

Вопрос 41

1.6. Физическая эквивалентная схема полевого транзистора

Для описания частотных параметров полевого транзистора в широком спектре частот применяется физическая эквивалентная схема (рис. 1.10).

Усилительные характеристики транзистора, имеющего крутизну S Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава, отражаются безупречным генератором тока SUmзи. Ri = 1/Y22 - выходное сопротивление полевого транзистора. rс rк, rи – это обьемные сопротивления области стока, канала и истока. В эквивалентной схеме учтены также емкости. В транзисторе с управляющим р-n-переходом емкость Сси в главном определяется емкостью меж электродами стока и истока, а в МДП Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава- транзисторе емкость Сси определяется к тому же емкостью р-n- перехода меж подложкой и областями истока и стока. Потому в МДП- транзисторах

Рис. 1.10

емкость Сси значительно выше, чем в транзисторах с р-n- переходом. Так как полевой транзистор работает с назад смещенным р-n- переходом, то емкости Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава Сзи и Сзс являются барьерными. Для МДП- транзистора — это емкости затвора относительно областей истока и стока. Приблизительно, для маломощных транзисторов разного типа Сзи=2-15 пФ, Сзс=0,3-10 пФ; для МДП – транзисторов Сси=315 пФ; для транзисторов с управляющим р-n

– переходом емкость Сси, обычно, не превосходит 1 пФ.

Рассмотренная схема справедлива до частоты, равной приблизительно 0,7fг. Частота Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава fг на которой коэффициент усиления по мощности в режиме согласования по входу и выходу равен единице, именуется предельной частотой генерации транзистора. Предельная частота генерации полевого транзистора определяется как:

тут rИ — сопротивление неуправляемого участка канала поблизости области истока, зависящее от тока насыщения и, обычно, не превышающее нескольких 10-ов ом.

Используя Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава схему рис. 5.10, можно отыскать у - характеристики полевого транзистора:

5.10

3нак минус в формуле для значит, что ток во входной цепи, вызванный напряжением Uси, вследствие оборотной связи в транзисторе, имеет направление, обратное тому, которое принято положительным для тока затвора. Из (5.10) следует, что с ростом рабочей частоты транзистора величины Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава всех проводимостей вырастают. Так как емкость Сзс невелика, ее воздействием даже на довольно больших частотах можно пренебречь и считать, что .

Вопрос 42

Маркировка транзисторов

К Т 3 1 5 А , Г Т 7 0 1 А , К П 3 0 3 Е

1 2 3 4 5 6

Аналогично диодикам.

1 – охарактеризовывает материал. Г,1 –Ge; К,2 –Si;

2 – функциональное предназначение.

Т – транзистор(биполярный);

П – полевой;

3 – цифра связанная с мощьностью Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава рассеивания и его частотными качествами.

4,5 – Порядковый номер разработки(Ни с чем же не связан).

6 – Буковка характеризующая деление по параметрическим группам.

Вопрос 43

Тиристоры

Тиристорыэто полупроводниковые приборы с 3-мя и поболее р-п-переходами. Они предусмотрены, для использования в качестве электрических ключей в схемах коммутации огромных по величине токов при сравнимо низком Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава быстродействие.

Зависимо от вида ВАХ и метода управления тиристоры делят на диодные и триодные.

Диодные тиристоры имеют два выводы – анод и катод. Зависимо от метода управления включения либо выключения тока, они бывают: запираемые в оборотном направлении (1), проводящие в оборотном направлении (2) и симметричные (3). Последние представляют собой встречно- последовательное соединение тиристоров запираемых Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава в оборотном направлении. Они способны пропускать ток как в прямом, также в оборотном направлении. Они имеют два вывода, которые именуются: анод 1, и анод 2.

Триодные тиристоры именуют просто – тиристорами. Они имеют три вывода. Возникает 3-ий управляющий электрод (УЭ). Напряжение, подаваемое на него, позволяет управлять включением (выключением) тиристора. Триодные тиристоры подразделяют на: запираемые Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава в оборотном направлении с управлением по аноду (4) и по катоду (5); проводящие в оборотном направлении с управлением по аноду (6) и по катоду (7); симметричные (двунаправленные).

Структура тиристора, ВАХ и механизм работы

Простой диодный тиристор имеет четырехслойную р-п-р-п-структуру (рис.А б), изготовленную из кремния.

Область р Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава1, на которую подают положительное напряжение от источника напряжения Еа именуется – анодом, область п2 – катодом, а области п1 и р2 – базами. Меж р и п областями появляются р-п-переходы П1, П2, П3. Переходы П1 и П3 именуются эмиттерными, переход П2 – коллекторным т.к. он сдвинут в оборотном направлении. Аналогом тиристора Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава может служить схема (рис. А а) из 2-ух биполярных транзисторов VT1 – р-п-р-типа и VT2 - п-р-п-типа.

Вольт-амперная черта динистора приведен на рис. Ав. На ней можно выделить четыре участка.

Участок – 1. На аноде положительное напряжение. Переходы П1 и П3 сдвинуты в прямом направлении Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава, а переход П2 – в оборотном.

Все наружное напряжение будет приложено к КП. Ток коллекторного перехода Iкп – это малый по величине ток неосновных носителей заряда. Он является суммой токов, вызванных инжекцией через эмиттерные переходы П1 и П3, и маленького своей оборотного тока перехода П2:

Iкп=a1Iэ1+ a2Iэ2 +Iко,

где a1 и Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава a2 – коэффициенты инжекции тока эмиттерных переходов П1 и П3. Разумеется, что Iкп=Iэ1=Iэ2= Iа т.к. это элементы одной злектрической ветки, а поэтому

Iа=I/ко (1-(a1+ a2))

Пока напряжение меж анодом и катодом относительно не много a1 + a2<<1, Iкп= Iк0, сопротивление прибора велико (до сотен Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава килоом). Таккак коэффициенты передачи тока эмиттерных переходов П1 и П3 (a1 и a2) с повышением Uак вырастают. Как следует, вырастает и ток Iа .

Участок 2. При определенном значении напряжения Uак, именуемом напряжением включения Uвкл, a1 + a2 =1. Ток в согласовании с (6.4) должен •стремиться к бесконечности. Начинается лавинообразное повышение токов. Транзисторы перебегают в режим полного Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава насыщения. Сопротивление прибора при всем этом падает до единиц ом. Но наличие в цепи анода резистора с сопротивлением Rа- ограничивает ток на уровни Еа/Rа..

Участок 3, соответствует ВАХ диодика в отрытом состоянии. Это проводящее состояние динистора. Iа@Еа /R.

Участок 4. Переходы П1 и П3 сдвинуты в оборотном Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава направлении. Ток динистора мал. Это запертое т.е. непроводящее ток, состояние динистора. При довольно огромных оборотных напряжениях, оборотный ток динистора резко растет – это термический пробой. В главном за процесс включения динистора отвечает переход П3 и процессы в области р2. Обычно производится условие a2>a1. Это достигается конструкцией – Wn Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава1>Wp2, где Wn1>Wp2 – толщина базы n1 и p2.

Тирстор имеет дополнительный – управляющий электрод. Если, используя управляющий электрод, при помощи наружного источника напряжения либо тока в

цепи эмиттерного перехода П3

обеспечить протекание тока, то это вызовет повышение a2 и сумма a1 + a2 приблизится к единице при наименьшем напряжении Uак, чем при отсутствии тока Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава в цепи управляющего электрода. Как следует, изменяя ток управляющего электрода, Iуэ можноа изменять Uвкл. После открывания тиристора ток Iуэ может быть уменьшен до нуля, но прибор остается во включенном состоянии. Чтоб выключить прибор, нужно оборвать либо существенно уменьшить на определенное время проходящий через, него ток – условие Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава выключения тиристора Iа

В ближайшее время начат выпуск ЭПс пятислоиной структурой (семисторов).Их ВАХ схожа в 1-м и 3-м квадрантах, а управление включением обеспечивается при помощи 1-го (общего) электрода.

Характеристики тиристоров. Тиристоры принято охарактеризовывать напряжением и токомвключения; очень допустимым оборотным напряжением, очень допустимым током в открытом состоянии, падением напряжения Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава на приборе при очень допустимом прямом токе; током выключения либо его именуют током удержания (током, ниже которого прибор перебегает в закрытое состояние), малой продолжительностью включающего импульса: Все эти характеристики и ряд дополнительных данных об критериях эксплуатация тиристоров приводится в соответственных справочниках.

Вопрос 44

Общая черта электрических устройств

и интегральных микросхем (ИМС Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава)

Радиоэлектронная аппаратура (РЭА) построена из отдельных блоков и многофункциональных узлов, реализованных на базе некой элементной базы, другими словами компонент и частей.

Составляющие - это конструктивно законченные самостоятельные изделия. К ним относятся дискретные радиоэлементы и интегральные микросхемы (ИМС).

Элементы могут быть активными (диоды, транзисторы биполярные, транзисторы полевые) и пассивными (резисторы, конденсаторы и др.). И Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава те, и другие могут быть дискретными (тогда это составляющие) либо интегральными. Интегральные элементы являются неотделимыми частями микросхемы и не есть как отдельные изделия.

Применение электрических устройств для решение все более сложных задач приводит к неизменному усложнению их электронных схем. Анализ развития электрической техники указывает, что приблизительно Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава в течение 5..7 лет сложность электрических устройств увеличивается в 10 раз.

Таковой рост трудности электрических устройств на дискретных элементах, приводит к ряду заморочек:

1. понижение надежности устройства за счет огромного числа частей и электронных соединений меж ними,

2. огромные габариты и вес,

3. возрастание потребляемой мощности,

4. слабенькие способности автоматизации производства РЭА,

5. трудность получения схожих характеристик Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава электрических устройств.

Рвение избавиться от этих недочетов привело к возникновению и развитию микроэлектроники.

Микроэлектроника — это область электроники, которая занимается разработкой и применением интегральных микросхем (ИМС) и аппаратуры на базе ИМС.

ИМС — это микроэлектронное, конструктивно законченное, изделие, выполняющее определенную функцию (усиление, генерацию, логическую операцию и др.) преобразования и обработки Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава сигналов и имеющее высшую плотностью упаковки электрически соединенных частей и кристаллов в единице объема.

При изготовлении ИМС употребляется групповой способ производства, при котором на одной подложке сразу делается огромное количество однотипных частей либо целых микросхем, что позволяет получить изделия с схожими параметрами.

Систематизация и главные свойства ИМС

Степень интеграции (плотность упаковки) является Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава показателем трудности ИМ.

Степень интеграции - это число обычных частей и компонент входящих в состав ИМС. Количественно степень интеграции характеризуется числом K = lg N, где K – это степень интеграции, N – это число обычных частей в ИМС.

По степени интеграции ИМС делятся на интегральные схемы:

1-ой степени: К=1 N<=10 т.е. с Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава числом частей меньше 10;

2-ой степени: К=2 N<=100;

3-ой степени: К=3 N<=103 – их именуют огромные ИС т.е. БИС;

4-ой степени: К=4 N<=104 - их именуют огромные ИС т.е. БИС;

5-ой степени: К=>5 N<=105 - их именуют сверхбольшие ИС т.е. СБИС.

Сложность ИС характеризуется также плотностью упаковки, т.е числом частей в единице Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава обьема либо на единице площади кристалла.

По многофункциональному предназначению ИМС делятся на аналоговые и цифровые.

Аналоговые ИС (АИС) это микросхемы, которые созданы для преобразования и обработки сигнала представленных в аналоговом виде. Это сигналы, которые описываются непрерывными функциями времени. В базе аналоговых схем лежит простой усилительный каскад на базе которого строят Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава другие устройства. В текущее время под аналоговыми принято именовать последующие операции: усиления, сопоставления, ограничение, перемножение, частотная фильтрация.

Цифровые ИС (ЦИС) это микросхемы, которые созданы для преобразования и обработки сигналов, представленных в двоичном либо другом цифровом коде. В базе цифровых схем лежит ключ и тумблер тока.

Обычно, ИС разрабатываются и Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава выпускаются изготовителями сериями.

По технологии производства: полупроводниковые, гибридные (плёночные), также совмещённые.

Вопрос 45

Полупроводниковые ИМС (ПИМС). В их все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности кристалла проводника, т.е. полупроводниковые ИМС представляют собой кристалл полупроводника отдельные области которого делают функции транзистора, конденсатора, резистора и диодика. Катушки Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава индуктивности и конденсаторы с большой ёмкостью стараются не использовать, так как они не выполнимы по интегральной технологии.

Транзисторы представляют собой трёхслойную структуру с 2-мя p-n-переходами обычно используют n-р-n пореже р-n- р транзисторы. Для изоляции транзисторов друг от друга употребляют два способа: изоляция диэлектриком, и изоляция Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава p-n-переходом.

Диоды в ИМС – это двухслойная структура с одним p-n-переходом, обычно, в качестве диодика употребляют транзистор в диодном включении.

Конденсаторы в ИМС – получают на базе p-n-перехода транзистора смещённого в оборотном направлении. Очень допустимая ёмкость конденсатора, используемая в ИМС не должна превосходить 200 пФ Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава.

Резисторы в ИМС – это участки легированного полупроводника с 2-мя выводами. Сопротивление диффузионных резисторов находится в зависимости от удельного сопротивления полупроводника и геометрических размеров и обычно не превосходит единиц килоом. В качестве высокоомных резисторов употребляют входные сопротивления эмиттерных повторителей, сопротивления которых может достигать сотен килоом.

Так как все элементы ИС получают Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава в едином технологическом цикле в кристалле полупроводника, то количество операций на их изготовка не намного превосходит количество операций по изготовлению отдельного транзистора. Потому цена ИС не намного превосходит цена 1-го транзистора. Это заносит особенности в схемотехнику ИС – в ИС желательно использовать транзисторы 1-го вида т.к. это упрощает Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава технологию изготовлния ИС.Зависимо от транзисторов, которые употребляются в ИС различают целый ряд технологий производства ИС: биполярная n-p-n разработка, биполярная p-n-р разработка, совмещенная биполярная разработка, и т.д.

Гибридная ИМС (ГИМС). В гибридной ИМС пассивные элементы делают по пленочной технологии, т.е. методом Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава нанесения разных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла либо керамики, а активные элементы – это бескорпусные транзисторы. Зависимо от толщины пленок различают тонкопленочные (1мкм) ГИМС. Кроме количественных различий у их существует и различие по технологии нанесения пленок. Тонкопленочные элементы сформировывают обычно методом теплового вакуумного испарения и ионного распыления, а толстопленочные элементы Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава наносят на подложку способом трафаретной печати с следующим вжиганием. Подложка с расположенными на ней элементами, проводниками и контактными площадками именуется платой. Плату помещают в жесткий железный либо пластмассовый корпус, который предназначен для механической прочности и герметизации.

Создание полупроводниковых схем (ПИМС) отличаются большенными затратами и сложностью оборудования, и окупается Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава только при массовом производстве ИМС. Создание ГИМС отличается малыми затратами на создание и используется при малосерийном производстве, но плотность упаковки у их существенно ниже.

По виду активных частей различают ИС:

на биполярных транзисторах;

на полевых МДП-транзисторах (металл диэлектрик проводник);

на КМДП-транзисторы (комплиментарных полевых транзисторах со структурой Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава металл-диэлектрик-проводник) – комплиментарные - это транзисторы с схожими параметрами, но имеющие различный тип проводимости канала.

Вопрос 46

Маркировка ИМС

Индустрия выпускает ИМС сериями. Серия соединяет воединыжды ряд отдельных схем единых по технологическому признаку, согласованных по напряжения питания, уровням входных и выходных сигналов и конструктивному оформлению. Серии ИМС стремятся разрабатывать так, чтоб из Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава входящих в их схем можно было выстроить законченное устройство.

Маркировка ИМС по ГОСТ состоит из 4 частей.

ПРИМЕР: 140 УД 8 А либо К 155 ЛА 3

1-ые три либо четыре числа - номер серии. Он охарактеризовывает конструктивно-технологическое деление и состоит из 2-ух частей:

1-ая цифра дает деление по технологии производства: 1, 5, 7 – это полупроводниковые ИМС ( 7 – это Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава бескорпусные ИС); 2, 4, 6, 8 – это ГИМС; 3 – остальные (пленочные) ИМС.

Две либо три последующие числа означают порядковый номер разработки ИМС (от 0 до 999).

две буковкы – это функциональное предназначение ИМС. К примеру, УД – операционный усилитель; ПС – аналоговый перемножитель; ЛА – логический элемент «И-НЕ»; ЛЕ – логический элемент «ИЛИ-НЕ»; ЕН – линейный стабилизатор напряжения; ЕП Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава – Импульсный стабилизатор напряжения.

3-ий элемент - две числа. Это порядковый номер разработки в данной серии.

4-ый элемент и буковка. Она охарактеризовывает деление по параметрическим группам.

Время от времени перед условным обозначением стоит буковка «К», это означает микросхема широкого внедрения, если буковкы нет, то это ИС специального предназначения.

Время от времени перед Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава условным обозначением стоят две буковкы – они указывают тип корпуса. К примеру:

КМ – тип корпуса

КР – пластмассовый корпус

КМ – керамо-металлический

КЕ – металло-полимерный

Вопрос 47

Усилители электронных сигналов

Существует ряд технических задач, когда слабомощный источник сигнала оказывается неспособным управлять исполнительным устройством (нагрузкой). Для решения этих задач употребляют усилители электронных сигналов. Их располагают меж источником сигнала Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава и нагрузкой и они наращивают входной сигнал в К>1-раз (рис. .)

Под усилителем понимают устройство, в каком сравнимо маломощный входной сигнал управляет передачей еще большей мощности от источника питания (ИП) в нагрузку (Rн). Обобщенная схема включения усилителя приведена на рис. . Слева вход усилителя (выводы 1-11), а справа выход (2-21), к нему Классификация и основные характеристики ИМС 5 глава подключена нагрузка


klassifikaciya-kanalov-svyazi.html
klassifikaciya-kategoricheskih-suzhdenij.html
klassifikaciya-kishechnoj-neprohodimosti.html