Классификация и система обозначений транзисторов

Часть 2

Методические указания и расчетные задания

Для студентов очного и заочного факультетов специальности 140604 -

«Электропривод и автоматика промышленных установок

И технологических комплексов» (ЭГП)

Направления 140600 – «Электротехника, электромеханика

И электротехнологии»

Екатеринбург

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО

Уральский муниципальный горный институт

ОДОБРЕНО

Методической комиссией

горномеханического факультета

«___» ____________ 2008 г.

Председатель комиссии

__________ проф. В.П. Барановский

ФИЗИЧЕСКИЕ Базы ЭЛЕКТРОНИКИ

Часть 2

Методические указания и расчетные задания

для студентов очного и заочного факультетов специальности Классификация и система обозначений транзисторов 140604 -

«Электропривод и автоматика промышленных установок

и технологических комплексов» (ЭГП)

направления 140600 – «Электротехника, электромеханика

и электротехнологии»

Издание УГГУ Екатеринбург, 2008

М 25

Рецензент: С. Н. Скобцов, канд.техн.наук, доцент кафедры

АКТ УГГУ.

Методические указания рассмотрены на заседании кафедры Электрификации горных компаний «___»____________ 2008 года (протокол № ___) и рекомендованы для издания в УГГУ.

Маругин А.П., Меженный Классификация и система обозначений транзисторов Е.В.

Физические базы электроники. Часть 2: методические указания и расчетные задания для студентов очного и заочного факультетов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» / А.П. Маругин., В.Е.Меженный – Екатеринбург: Изд- во УГГУ, 2009 г., с.

Методические указания по дисциплине «Физические базы электроники» составлены в согласовании с Классификация и система обозначений транзисторов программкой и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилительные устройства» и «Импульсная техника».

Расчетные задания созданы для развития у студентов специальности способностей без помощи других решать сложные технические вопросы, работать с технической литературой.

© Маругин А.П., 2008

© Уральский муниципальный

горный институт, 2008

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. Транзисторы……………………………………………………..

1.1. Систематизация и система обозначений транзисторов..……

1.2. Функциональное предназначение Классификация и система обозначений транзисторов и характеристики транзисторов…..

2. Резисторы………………………………………………………

2.1. Систематизация и система условных обозначений…..

2.2. Главные электронные характеристики …………………………

2.3. Полупроводниковые резисторы……………………………….

2.3.1.Полупроводниковые терморезисторы………………………

2.3.2. Полупроводниковые фоторезисторы……………………….

3. Конденсаторы…………………………………………

3.1.Систематизация…………………………………………………

3.2. Главные электронные характеристики и свойства…….

3.3. Система условных обозначений и маркировка……………….

ТРАНЗИСТОРЫ

Систематизация и система обозначений транзисторов

Систематизация транзисторов по их предназначению, физическим свойствам, главным электронным характеристикам, конструктивно-технологическим Классификация и система обозначений транзисторов признакам, роду начального полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В согласовании с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений.

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым эталоном ОСТ 11336.919 - 81 и базируется на ряде классификационных признаков. В базу системы обозначений положен буквенно-цифровой код Классификация и система обозначений транзисторов.

1-ый элемент обозначает начальный полупроводниковый материал, на базе которого сделан транзистор. Для обозначения начального материала употребляются последующие знаки:

Г либо 1 – для германия и его соединений:

К либо 2 – для кремния либо его соединений;

А либо 3 – для соединений галлия (фактически для арсенида галлия, применяемого для сотворения полевых транзисторов);

И Классификация и система обозначений транзисторов либо 4 – для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов пока в качестве начального материала не используются).

2-ой элемент обозначения – буковка, определяющая подкласс (либо группу) транзисторов. Для обозначения подклассов употребляется одна из 2-ух букв: Т – для биполярных и П – для полевых транзисторов.

3-ий элемент – цифра, определяющая главные многофункциональные способности транзистора Классификация и система обозначений транзисторов (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную или наивысшую рабочую частоту).

Для обозначения более соответствующих эксплуатационных признаков транзисторов используются последующие числа.

Для транзисторов малой мощности (наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором, менее 0,3 Вт);

1 – с граничной частотой коэффициента передачи тока либо наибольшей рабочей частотой (дальше граничной частотой) менее 3 МГц:

2 – с граничной частотой более 3, но Классификация и система обозначений транзисторов менее 30 МГц;

3 – с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов средней мощности (наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но менее 1,5 Вт):

4 – с граничной частотой более 3 МГц;

5 – с граничной частотой более 3, но менее 30 МГц;

6 – с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов большой мощности (наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):

7 – с граничной частотой менее 3 МГц Классификация и система обозначений транзисторов;

8 – c граничной частотой от 3МГц до 30МГц;

9 – с граничной частотой более 30 МГц.

4-ый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера употребляют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превзойдет число 99, то используют трехзначные числа от 001 до 999.

5-ый элемент – буковка, условно Классификация и система обозначений транзисторов определяющая систематизацию по характеристикам транзисторов, сделанных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буковкы российского алфавита (кроме 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ют Ь, Ъ. Э).

Эталон предугадывает также введение в обозначение ряда дополнительных символов по мере надобности отметить отдельные значительные конструктивно-технологические особенности устройств.

В качестве дополнительных частей обозначения Классификация и система обозначений транзисторов употребляют последующие знаки:

цифра от 1 до 9 – для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции либо электронных характеристик;

буковка. С – для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторы сборки);

цифра, написанная через дефис, для без корпусных транзисторов.

Эти числа соответствуют последующим модификациям конструктивного выполнения:

1– с Классификация и система обозначений транзисторов гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);

2– с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 – с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл);

6 – с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке).

Таким макаром, современная система обозначений Классификация и система обозначений транзисторов позволяет по наименованию типа получать значимый объем инфы о свойствах транзистора.

Примеры обозначений неких транзисторов:

КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер разработки 04, группа, А;

2Т920А - кремниевый биполярный, большой мощности, частотный, номер разработки 20, группа, А;

КТ937А-2 – кремниевый биполярный, большой мощности, частотный, номер разработки 37, группа. А, без корпусный, с Классификация и система обозначений транзисторов гибкими выводами на кристаллодержателе;

2ПС202А-2 – набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа. А, без корпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Для большинства транзисторов применена система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в собственной базе не отличается от описанной. Но у биполярных транзисторов Классификация и система обозначений транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпускаемых по сей день, условные обозначения типа состоят из 2-ух либо 3-х частей,

1-ый элемент обозначения - буковка П, характеризующая класс биполярньх транзисторов, либо две буковкы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом методом прохладной сварки.

2-ой элемент – одно-, двух- либо трехзначное число, которое определяет порядковый Классификация и система обозначений транзисторов номер разработки и показывает на подкласс транзистора по роду начального полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (либо предельной) частоты;

от 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 201 до 299 – германиевые массивные низкочастотные транзисторы;

от 301 до 399 – кремниевые массивные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ Классификация и система обозначений транзисторов маломощные транзисторы;

от 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 601 до 699 – гераниевые высокочастотные и СВЧ массивные транзисторы;

от 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ массивные транзисторы.

3-ий элемент обозначения (у неких типов он может отсутствовать) – буковка, условно определяющая систематизацию по характеристикам транзисторов, сделанных по единой технологии.

Примеры обозначения Классификация и система обозначений транзисторов неких транзисторов:

П213А – германиевый мощнейший низкочастотный, номер разработки 13, группа Л:

П702А – кремниевый мощнейший частотный, номер разработки 02, группа А.


klassifikaciya-cennih-bumag-osushestvlyaetsya.html
klassifikaciya-chastnih-kriminalisticheskih-metodik.html
klassifikaciya-chrezvichajnih-situacij-po-proishozhdeniyu.html